Niemiecka korporacja Osram Opto Semiconductors ogłosiła wyniki programu badawczego o nazwie Hi-Q LED, który został sfinansowany przez Federalne Ministerstwo Niemcy Edukacji i Badań Naukowych (BMBF). Projekt koncentruje się na zamknięcie tzw “zielony luki”, dla materiału indu azotku galu-(InGaN). Wyniki prac są rewelacyjne, osiągnięto skuteczność świetlna na poziomie 147-lm /W oraz dla zielonej diody LED ponad 200 lm / W.
Diody LED oparte na InGaN, w którym strumień świetlny jest generowany wyłącznie przez półprzewodnik GaN oferują znacznie więcej emisji wąskopasmowych o szerokości spektralnej około 35 nm w porównaniu do zielonych diod LED, które są oparte na konwersji luminoforu. Ten przełom umożliwia wdrożenie nowych diod przeznaczonych dla wysoko wydajnych systemów projekcji wymagających wysokiego współczynnika oddawania barw, co w praktyce przekłada sie na wierniejsze odzwierciedlenie rzeczywistych braw, a tym samym jakości obrazu.
